Samsung va folosi procesul de 3 nanometri al rivalului TSMC pentru a fabrica matrițele de bază din inima stivelor de memorie NVHBM de nouă generație ale Nvidia, potrivit unui raport al Seoul Economic Daily, după ce producătorul de GPU a cerut furnizorilor săi de memorie să standardizeze producția pe cel mai avansat nod logic al TSMC.
Raportul, care a fost preluat de Reuters în weekend, spune că Nvidia le-a cerut tuturor celor trei furnizori HBM – Samsung, SK hynix și Micron – să adopte procesul TSMC de 3 nm pentru matrițele de bază ale NVHBM, pachetul de memorie personalizat dezvăluit de Nvidia în august. Mișcarea unește efectiv doi dintre cei mai înverșunați concurenți de turnătorie din lume, Samsung și TSMC, pe aceeași bucată de siliciu. For more context on this story, see our ongoing artificial intelligence updates.
Ce schimbă NVHBM despre memoria AI
NVHBM este încercarea Nvidia de a reproiecta memoria cu lățime de bandă mare în funcție de nevoile acceleratoarelor AI. Într-o stivă convențională HBM, controlerul de memorie trăiește pe GPU-ul însuși. NVHBM mută acel controler într-o matriță de bază personalizată sub stivele de memorie, o schimbare care tratează matrița de bază mai puțin ca o cablare pasivă și mai mult ca o piesă de logică avansată.
Acest design este ceea ce dă tehnologiei numerele sale principale. Potrivit Nvidia, NVHBM oferă cu până la 30% mai multă lățime de bandă a memoriei, un consum de energie HBM cu 15% mai mic și cu 25% mai multă zonă de calcul XPU decât HBM4E standard - câștiguri care vin tocmai pentru că matrița de bază trebuie să fie construită pe un proces logic de vârf și nu pe unul optimizat pentru memorie.
De ce TSMC și nu Fabs-urile proprii ale Samsung
Cerința nodului logic este, de asemenea, ceea ce a împins Nvidia către standardizare. Seoul Economic Daily raportează că Nvidia dorește performanță HBM consecventă între furnizorii săi și un proces de validare mai simplu - obiective care sunt mai ușor de atins dacă fiecare producător de memorie își construiește matrița de bază pe același proces, la aceeași turnătorie.
Randamentul este celălalt factor. Estimările industriei citate de ziar plasează randamentele de 3 nm ale TSMC peste 90%, în timp ce procesul de 2 nm al Samsung Foundry (SF2) se situează la aproximativ 60%. Pentru o matriță de bază complexă care integrează un controler de memorie care a trăit cândva pe GPU, acest decalaj este decisiv: o matriță de bază construită pe un nod cu randament scăzut crește costurile exact acolo unde designul este cel mai solicitant.
Divizia Samsung Device Solutions, care supraveghează operațiunile de turnătorie ale companiei, a fost de acord cu cerințele după o revizuire internă - o concesie notabilă pentru un conglomerat care a petrecut ani de zile încercând să câștige afaceri cu logica avansată de mare volum, departe de TSMC.
Rivali pe un singur cip
Cooperarea dintre cele două turnătorii nu este lipsită de precedent. Potrivit Seoul Economic Daily, Samsung și TSMC au lucrat pentru prima dată împreună în urmă cu aproximativ patru ani pentru a asigura compatibilitatea HBM cu procesul de ambalare GPU al TSMC. Diferența acum este domeniul de aplicare: noul aranjament extinde colaborarea lor în producția de componente HBM în sine, pentru prima dată când turnătoriile rivale au împărțit acel strat al stivei.
Samsung, la rândul său, nu și-a abandonat propriile fabrici. După cum a raportat ZDNet în septembrie, compania urmărește o strategie cu două căi pentru HBM personalizat, utilizând atât turnătoria sa internă, cât și TSMC pentru producția de matrițe de bază. Noul raport indică faptul că, în special, pentru programul NVHBM al Nvidia, pista TSMC este cea care contează.
Un armistițiu între concurenți — Deocamdată
Aranjamentul este izbitor tocmai pentru că Samsung și TSMC rămân concurenți cap la cap peste tot. Cele două turnătorii concurează pentru aceiași clienți marcanți - printre ei Qualcomm și Tesla, după cum notează TrendForce - și Samsung a mizat o mare parte din strategia sa de turnătorie pentru a elimina decalajul tehnologic care a lăsat TSMC să dețină majoritatea comenzilor cu noduri avansate.
Faptul că NVHBM îi trage pe o singură matriță este o măsură a cât de multă pârghie o exercită acum foaia de parcurs acceleratoare a Nvidia asupra lanțului de aprovizionare cu semiconductori. Producătorii de memorie a căror afacere HBM se învârtea cândva în jurul stivelor generice, interschimbabile, li se cere să co-proiecteze siliciu personalizat și să-l construiască la fabrica rivalului lor, pentru a rămâne în bunăvoința Nvidia.
Ce înseamnă pentru cursa memoriei AI
Pentru Nvidia, standardizarea matriței de bază NVHBM pe TSMC 3nm reduce o problemă de coordonare la una de producție: trei furnizori de memorie cu foi de parcurs diferite ale proceselor pot livra acum matrițe de bază identice din punct de vedere funcțional, simplificând calificarea și netezind furnizarea pentru o foaie de parcurs acceleratoare a cărei apetit pentru lățime de bandă continuă să crească.
Pentru Samsung, decizia este un semnal cu două tăișuri. Pierderea afacerii de bază a matrițelor pentru un program emblematic de memorie în fața rivalului său principal de turnătorie - dar participarea la program menține afacerea HBM a Samsung în ecosistemul Nvidia, alături de SK hynix și Micron, mai degrabă decât de a urmări întregul pachet plecând în altă parte.
Pentru TSMC, afacerea extinde o poziție deja dominantă: turnătoria se află acum nu doar sub GPU-urile Nvidia, ci în interiorul memoriei care le alimentează. Pe măsură ce producătorii de hardware AI împing personalizarea mai adânc în stiva de memorie, zarul de bază devine noul câmp de luptă – iar cel mai recent raport sugerează că TSMC începe acea luptă cu un lider comandant.
---
Stay Ahead of AIGet the latest AI news, analysis, and breakthroughs — all in one place.
Read more AI news →
