Согласно отчету Seoul Economic Daily, Samsung будет использовать 3-нанометровый техпроцесс конкурирующей компании TSMC для производства базовых кристаллов, лежащих в основе стеков памяти NVHBM следующего поколения от Nvidia, после того как производитель графических процессоров попросил своих поставщиков памяти стандартизировать производство на самом передовом логическом узле TSMC.
В отчете, который был опубликован Reuters на выходных, говорится, что Nvidia обратилась ко всем трем своим поставщикам HBM — Samsung, SK hynix и Micron — принять 3-нм техпроцесс TSMC для базовых кристаллов NVHBM, специального пакета памяти, который Nvidia представила в августе. Этот шаг фактически объединяет двух самых жестоких конкурентов в мире, Samsung и TSMC, на одном куске кремния. Подробнее об этой истории — в нашем последние разработки в ИИ.
Что NVHBM меняет в памяти ИИ
NVHBM — это попытка Nvidia перепроектировать память с высокой пропускной способностью с учетом потребностей ускорителей искусственного интеллекта. В обычном стеке HBM контроллер памяти находится в самом графическом процессоре. NVHBM перемещает этот контроллер в специальный базовый кристалл под стеками памяти, при этом базовый кристалл рассматривается не как пассивная проводка, а скорее как часть продвинутой логики.
Именно этот дизайн дает технологии такие высокие цифры. По данным Nvidia, NVHBM обеспечивает до 30 % большую пропускную способность памяти, на 15 % меньше энергопотребление HBM и на 25 % большую площадь вычислительного кристалла XPU, чем стандартный HBM4E — прирост, который достигается именно потому, что базовый кристалл должен быть построен на передовом логическом процессе, а не на оптимизированном для памяти.
Почему TSMC, а не собственные фабрики Samsung
Требование к логическому узлу также подтолкнуло Nvidia к стандартизации. Seoul Economic Daily сообщает, что Nvidia хочет обеспечить стабильную производительность HBM у всех своих поставщиков и упростить процесс проверки — цели, которых будет легче достичь, если каждый производитель памяти будет создавать свои базовые кристаллы по одному и тому же процессу на одном и том же литейном заводе.
Урожайность – второй фактор. По отраслевым оценкам, цитируемым газетой, 3-нм техпроцесс TSMC превышает 90%, а 2-нм техпроцесс Samsung Foundry (SF2) составляет около 60%. Для сложного базового кристалла, включающего контроллер памяти, который когда-то находился в графическом процессоре, этот разрыв имеет решающее значение: базовый кристалл, построенный на узле с более низкой производительностью, увеличивает затраты именно там, где конструкция наиболее требовательна.
Подразделение Samsung Device Solutions, которое курирует литейные операции компании, как сообщается, согласилось с требованиями после внутренней проверки — заметная уступка для конгломерата, который потратил годы, пытаясь отвоевать у TSMC крупномасштабный бизнес в области передовой логики.
Соперники на одном чипе
Сотрудничество между двумя литейными заводами не является беспрецедентным. По данным Seoul Economic Daily, Samsung и TSMC впервые начали работать вместе около четырех лет назад, чтобы обеспечить совместимость HBM с процессом упаковки графических процессоров TSMC. Разница теперь заключается в масштабах: новое соглашение расширяет их сотрудничество до производства самих компонентов HBM, впервые конкурирующие литейные заводы делят этот уровень стека.
Samsung, со своей стороны, не отказалась от собственных фабрик. Как сообщил ZDNet в сентябре, компания реализует двойную стратегию в области производства нестандартных HBM, используя как собственное литейное производство, так и TSMC для производства базовых штампов. В новом отчете указывается, что для программы NVHBM от Nvidia именно трек TSMC имеет значение.
Перемирие между конкурентами — на данный момент
Такая договоренность поразительна именно потому, что Samsung и TSMC остаются прямыми конкурентами повсюду. Как отмечает TrendForce, два литейных завода соперничают за одних и тех же крупных клиентов — среди них Qualcomm и Tesla — и Samsung сделала большую часть своей стратегии литейного производства на устранение технологического разрыва, из-за которого TSMC удерживает большую часть заказов на передовые узлы.
Тот факт, что NVHBM объединяет их в одном кристалле, является показателем того, какое влияние дорожная карта ускорителей Nvidia теперь оказывает на цепочку поставок полупроводников. Производителей памяти, чей бизнес HBM когда-то вращался вокруг универсальных взаимозаменяемых стеков, просят совместно разрабатывать специальные микросхемы и создавать их на фабриках своих конкурентов, чтобы оставаться в благосклонности Nvidia.
Что это значит для гонки памяти ИИ
Для Nvidia стандартизация базового кристалла NVHBM на 3-нм TSMC сводит проблему координации к производственной: три поставщика памяти с разными технологическими схемами теперь могут поставлять функционально идентичные базовые кристаллы, упрощая квалификацию и сглаживая поставки для дорожной карты ускорителей, чей аппетит к пропускной способности продолжает расти.
Для Samsung это решение является обоюдоострым сигналом. Потеря бизнеса по производству базовых кристаллов для флагманской программы памяти из-за укусов ее главного конкурента-литейщика - но участие в программе вообще сохраняет бизнес Samsung HBM внутри экосистемы Nvidia, наряду с SK hynix и Micron, вместо того, чтобы наблюдать, как весь пакет уходит в другое место.
Для TSMC сделка расширяет и без того доминирующее положение: литейное производство теперь находится не только под графическими процессорами Nvidia, но и внутри памяти, которая их питает. Поскольку производители оборудования для искусственного интеллекта углубляют настройку в стеке памяти, базовый кристалл становится новым полем битвы — и в последнем отчете говорится, что TSMC начинает эту борьбу с решающим преимуществом.
---
Будьте в курсе ИИПоследние новости, аналитика и прорывы в сфере ИИ — всё в одном месте.
Читать больше новостей об ИИ →
