Samsung จะใช้กระบวนการ 3 นาโนเมตรของคู่แข่ง TSMC ในการผลิตฐานดายที่เป็นหัวใจสำคัญของสแต็กหน่วยความจำ NVHBM รุ่นต่อไปของ Nvidia ตามรายงานจาก Seoul Economic Daily หลังจากที่ผู้ผลิต GPU ขอให้ซัพพลายเออร์หน่วยความจำสร้างมาตรฐานการผลิตบนโหนดตรรกะที่ทันสมัยที่สุดของ TSMC

รายงานซึ่งได้รับจาก Reuters เมื่อสุดสัปดาห์ที่ผ่านมา ระบุว่า Nvidia ได้ขอให้ซัพพลายเออร์ HBM ทั้งสามราย ได้แก่ Samsung, SK hynix และ Micron นำกระบวนการ 3 นาโนเมตรของ TSMC มาใช้กับแม่พิมพ์ฐานของ NVHBM ซึ่งเป็นแพ็คเกจหน่วยความจำแบบกำหนดเองที่ Nvidia เปิดตัวในเดือนสิงหาคม การเคลื่อนไหวดังกล่าวได้รวมเอาคู่แข่งด้านโรงหล่อที่ดุเดือดที่สุดสองคนของโลกอย่าง Samsung และ TSMC มาไว้บนซิลิคอนชิ้นเดียวกันได้อย่างมีประสิทธิภาพ For more context on this story, see our ongoing latest AI developments.

สิ่งที่ NVHBM เปลี่ยนแปลงเกี่ยวกับหน่วยความจำ AI

NVHBM คือความพยายามของ Nvidia ในการออกแบบหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงใหม่ตามความต้องการของตัวเร่งความเร็ว AI ในสแต็ก HBM ทั่วไป ตัวควบคุมหน่วยความจำจะทำงานบน GPU เอง NVHBM ย้ายคอนโทรลเลอร์นั้นไปยังดายฐานแบบกำหนดเองใต้สแต็กหน่วยความจำ การเปลี่ยนแปลงที่ถือว่าดายฐานน้อยลงเหมือนการเดินสายแบบแพสซีฟ และเป็นเหมือนชิ้นส่วนของลอจิกขั้นสูง

การออกแบบนั้นคือสิ่งที่ทำให้เทคโนโลยีเป็นพาดหัวข่าว จากข้อมูลของ Nvidia NVHBM เสนอแบนด์วิธหน่วยความจำเพิ่มขึ้นสูงสุด 30% การใช้พลังงาน HBM ลดลง 15% และพื้นที่การประมวลผล XPU มากกว่า HBM4E มาตรฐานถึง 25% ซึ่งได้รับมาอย่างแม่นยำเนื่องจากแม่พิมพ์พื้นฐานจะต้องสร้างขึ้นจากกระบวนการลอจิกระดับแนวหน้า แทนที่จะเป็นกระบวนการเพิ่มประสิทธิภาพหน่วยความจำ

ทำไมต้อง TSMC และไม่ใช่ Fabs ของ Samsung

ข้อกำหนดลอจิกโหนดยังเป็นสิ่งที่ผลักดันให้ Nvidia ก้าวไปสู่มาตรฐาน Seoul Economic Daily รายงานว่า Nvidia ต้องการประสิทธิภาพ HBM ที่สม่ำเสมอสำหรับซัพพลายเออร์และกระบวนการตรวจสอบที่ง่ายกว่า ซึ่งเป็นเป้าหมายที่บรรลุได้ง่ายกว่าหากผู้ผลิตหน่วยความจำทุกรายสร้างฐานของตนตายในกระบวนการเดียวกันที่โรงหล่อเดียวกัน

อัตราผลตอบแทนเป็นอีกปัจจัยหนึ่ง ประมาณการทางอุตสาหกรรมที่อ้างโดยหนังสือพิมพ์ระบุว่า การผลิต 3 นาโนเมตรของ TSMC ให้ผลตอบแทนสูงกว่า 90% ในขณะที่กระบวนการ 2 นาโนเมตร (SF2) ของ Samsung Foundry อยู่ที่ประมาณ 60% สำหรับไดย์ฐานที่ซับซ้อนซึ่งรวมตัวควบคุมหน่วยความจำซึ่งครั้งหนึ่งเคยอยู่บน GPU ช่องว่างนั้นถือเป็นปัจจัยชี้ขาด: ดายฐานที่สร้างขึ้นบนโหนดที่ให้ผลตอบแทนต่ำกว่าจะเพิ่มต้นทุนอย่างแม่นยำในกรณีที่การออกแบบเป็นที่ต้องการมากที่สุด

แผนก Device Solutions ของ Samsung ซึ่งดูแลการดำเนินงานโรงหล่อของบริษัท มีรายงานว่าได้ตกลงตามข้อกำหนดดังกล่าวหลังจากการตรวจสอบภายใน ซึ่งเป็นสัมปทานที่โดดเด่นสำหรับกลุ่มบริษัทที่ใช้เวลาหลายปีในการพยายามเอาชนะธุรกิจลอจิกขั้นสูงที่มีปริมาณมากห่างจาก TSMC

คู่แข่งบนชิปตัวเดียว

ความร่วมมือระหว่างโรงหล่อทั้งสองไม่เคยเป็นแบบอย่าง ตามรายงานของ Seoul Economic Daily Samsung และ TSMC ทำงานร่วมกันครั้งแรกเมื่อประมาณสี่ปีที่แล้วเพื่อให้แน่ใจว่า HBM เข้ากันได้กับกระบวนการบรรจุ GPU ของ TSMC ความแตกต่างอยู่ที่ขอบเขต: ข้อตกลงใหม่ขยายการทำงานร่วมกันไปสู่การผลิตส่วนประกอบ HBM ด้วยตนเอง ซึ่งเป็นครั้งแรกที่โรงหล่อของคู่แข่งได้แบ่งปันชั้นของสแต็กนั้นร่วมกัน

ในส่วนของ Samsung ก็ไม่ได้ละทิ้งความโดดเด่นของตัวเอง ตามที่ ZDNet รายงานในเดือนกันยายน บริษัทกำลังดำเนินกลยุทธ์แบบ dual-track สำหรับ HBM แบบกำหนดเอง โดยแตะทั้งโรงหล่อภายในและ TSMC สำหรับการผลิตแม่พิมพ์ฐาน รายงานใหม่ระบุว่าสำหรับโปรแกรม NVHBM ของ Nvidia โดยเฉพาะ การติดตาม TSMC เป็นสิ่งสำคัญ

การพักรบระหว่างคู่แข่ง — ในตอนนี้

ข้อตกลงนี้น่าทึ่งมากเพราะ Samsung และ TSMC ยังคงเป็นคู่แข่งกันแบบตัวต่อตัวในทุกที่ โรงหล่อทั้งสองแห่งแย่งชิงลูกค้ารายเดียวกัน ได้แก่ Qualcomm และ Tesla ในหมู่พวกเขา ตามที่ TrendForce กล่าว และ Samsung ได้เดิมพันกลยุทธ์การหล่อส่วนใหญ่ในการปิดช่องว่างทางเทคโนโลยี ซึ่งทำให้ TSMC ถือครองคำสั่งซื้อโหนดขั้นสูงส่วนใหญ่

NVHBM ดึงพวกมันมาไว้ในแม่พิมพ์ตัวเดียวเป็นการวัดว่าแผนงานการเร่งความเร็วของ Nvidia ใช้ประโยชน์จากห่วงโซ่อุปทานเซมิคอนดักเตอร์มากน้อยเพียงใด ผู้ผลิตหน่วยความจำที่ธุรกิจ HBM ครั้งหนึ่งเคยวนเวียนอยู่กับสแต็กทั่วไปที่เปลี่ยนได้กำลังถูกขอให้ร่วมออกแบบซิลิคอนแบบกำหนดเอง และสร้างมันขึ้นมาที่โรงงานของคู่แข่ง เพื่อให้อยู่ในพระคุณที่ดีของ Nvidia

ความหมายสำหรับการแข่งขันหน่วยความจำ AI

สำหรับ Nvidia การกำหนดมาตรฐานของดายฐาน NVHBM บน TSMC 3nm ช่วยลดปัญหาการประสานงานในการผลิต: ซัพพลายเออร์หน่วยความจำ 3 รายที่มีแผนงานกระบวนการที่แตกต่างกันสามารถส่งมอบดายฐานที่มีฟังก์ชันการทำงานเหมือนกันได้ ทำให้คุณสมบัติง่ายขึ้นและปรับการจัดหาให้ราบรื่นสำหรับแผนงานตัวเร่งซึ่งความอยากแบนด์วิดท์เพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง

สำหรับ Samsung การตัดสินใจถือเป็นสัญญาณสองด้าน การสูญเสียธุรกิจ base die สำหรับโปรแกรมหน่วยความจำเรือธงให้กับคู่แข่งที่สำคัญในโรงหล่อ แต่การเข้าร่วมในโปรแกรมนี้ทำให้ธุรกิจ HBM ของ Samsung อยู่ในระบบนิเวศของ Nvidia ควบคู่ไปกับ SK hynix และ Micron แทนที่จะเฝ้าดูแพ็คเกจทั้งหมดไปที่อื่น

สำหรับ TSMC ข้อตกลงดังกล่าวได้ขยายตำแหน่งที่โดดเด่นอยู่แล้ว: ตอนนี้โรงหล่อไม่ได้ตั้งอยู่เพียงภายใต้ GPU ของ Nvidia เท่านั้น แต่ยังอยู่ภายในหน่วยความจำที่ป้อนพวกมันด้วย ในขณะที่ผู้ผลิตฮาร์ดแวร์ AI ผลักดันการปรับแต่งให้ลึกลงไปในสแต็กหน่วยความจำ แม่พิมพ์ฐานกำลังกลายเป็นสมรภูมิใหม่ และรายงานล่าสุดชี้ให้เห็นว่า TSMC เริ่มต่อสู้กับผู้นำที่มีอำนาจสั่งการ

---

Stay Ahead of AI

Get the latest AI news, analysis, and breakthroughs — all in one place.

Read more AI news →